Оборудование для производства микросхем. Технология их создания. Способ изготовления микросхем

), люди продолжают интересоваться результатами - а значит пора рассказать о прогрессе.

Напомню цель проекта: научиться изготавливать несложные кремниевые цифровые микросхемы в «домашних» условиях. Это никоим образом не позволит конкурировать с серийным производством - помимо того, что оно на порядки более совершенное (~22нм против ~20мкм, каждый транзистор в миллион раз меньше по площади), так еще и чудовищно дешевое (этот пункт не сразу стал очевиден). Тем не менее, даже простейшие работающие микросхемы, изготовленные в домашних условиях будут иметь как минимум образовательную и конечно декоративную ценность.

Начнем с неудач и драмы

Как я уже упоминал в комментариях к другому топику, попытка выйти с этим проектом на kickstarter провалилась - проект не прошел модерацию из-за отсутствия прототипа. Это заставило в очередной раз переосмыслить пути коммерциализации этой упрощенной технологии. Возможность релиза технологии домашних микросхем в виде RepRap-подобного opensource-кита покрыта туманом: очень уж много опасной, дорогой и нестойкой химии - так просто рассылать по почте не выйдет. Также по видимому отсутствует возможность делать мелкие партии микросхем дешевле серийных заводов: сейчас минимальные тестовые партии микросхем можно изготавливать примерно по 30-50$ штука (в партии ~25 штук), и существенно дешевле 30$ за микросхему сделать это на самодельной упрощенной установке не получится. Кроме того, не смотря на низкую цену на обычных заводах - любительские микросхемы практически никто не делает, задач где они имели бы преимущества перед FPGA/CPLD/микроконтроллерами практически нет, а стоимость и сложность разработки - остается очень высокой.

Но как я уже упоминал выше - даже с этими недостатками проект остается для меня интересным.

Логистика

Из того, что уже упоминалось в моих других статьях в последние месяцы - куплен кислородный концентратор, позволяет получить ~95% кислород без головной боли. Из вредных примесей - похоже только углекислый газ (35ppm), будем надеяться, этого будет достаточно. Также едет из Китая генератор озона (ему на входе нужен кислород) - есть результаты исследований, показывающих что им удобно растить тонкие подзатворные диэлектрики и использовать как один из этапов для очистки пластин.

Чего еще не хватает

Из того, что упоминал в предыдущей статье - TEOS видимо не нужен, слишком сложно с ним работать, HMDS - не обязателен, по крайней мере для «больших» транзисторов.

Генератор азота - это конечно удобно, работать с пластинами в инертной атмосфере и не возиться с баллонами, но также не критично.

Единственное, что серьёзно могло бы облегчить работу - это образцы spin-on dopants и spin-on glass. В России по различным причинам их не используют и не производят, за рубежем - производителей мало, продается большими партиями и стоит дорого (тысячи $). Компания Emulsitone, у которой покупала образцы Jeri Ellsworth когда делала свои транзисторы - похоже загнулась, с ними связаться так и не удалось. Но это также не обязательный пункт - работать можно и без них (с фосфорной и борной кислотами, POCl3 и BBr3), хоть и намного сложнее / несколько опаснее.

И наконец - конечно не хватает спонсора для моих проектов, иногда между дополнительными затратами времени и дополнительными затратами денег приходится выбирать первое. Если кто-то из компаний или частных лиц имеет желание спонсировать мои проекты (условия обсуждаемы) - вы знаете, где меня найти :-).
Update: Ориентировочная смета есть, высылаю по запросу - т.е. представление на что именно нужны деньги - есть.

О «серийном» проекте

В прошлой статье я упоминал о моём классическом микроэлектронном проекте - я хотел разработать и производить на серийных заводах микроконтроллеры. Исследовав под микроскопом конкурентов (нормы производства, площадь), и узнав цены производства на практически всех заводах (как отечественных, так и зарубежных) - стало понятно, что бизнес это хороший, хоть и очень капиталоемкий. Тем не менее, тут похоже пока не судьба - в Сколково проект дважды завернули , из-за отсутствия у меня профильного опыта. С одной стороны они безусловно правы, с другой - пришел бы Цукерберг в Сколково, а ему «А сколько социальных сетей вы уже создали?». Вводить в команду фиктивных членов - совершенно нет желания. Так что жизнь как всегда вносит коррективы в радужные планы - видимо сначала придется зарабатывать деньги на проект другими путями, и вернуться к нему через 3-5 лет (если он тогда еще будет кому-то нужен).

Дальнейшие планы

Следующий шаг - сборка печки с управляющей электроникой, и наконец производство первых образцов. Для начала - кремниевые диоды, исследование их характеристик, солнечные батареи, затем - полевые транзисторы, возможно и биполярные. Можно попробовать сделать диоды Шоттки - но с ними все не так просто (высокие требования к интерфейсу металл-полупроводник и краям диода).

Затем нужно думать, как в домашних условиях сделать ультразвуковую или термокомпрессионную сварку проволоки с кремниевой пластиной - это нужно для подключения выводов.

Надеюсь, в обозримом будущем домашние микросхемы мы все-же увидим:-)

Теги:

  • asic
  • микросхема
  • кремний
  • разработка
  • фотолитография
Добавить метки

Первоначально берется SiO2 в виде песка, который в дуговых печах (при температуре около 1800°C) восстанавливают коксом:

SiO2 + 2C = Si + 2CO

Такой кремний носит название «технический» и имеет чистоту 98-99.9%. Для производства процессоров требуется гораздо более чистое сырье, называемое «электронным кремнием» - в таком должно быть не более одного чужеродного атома на миллиард атомов кремния. Для очистки до такого уровня, кремний буквально «рождается заново». Путем хлорирования технического кремния получают тетрахлорид кремния (SiCl4), который в дальнейшем преобразуется в трихлорсилан (SiHCl3):

3SiCl4 + 2H2 + Si 4SiHCl3

Данные реакции с использованием рецикла образующихся побочных кремнийсодержащих веществ снижают себестоимость и устраняют экологические проблемы:

2SiHCl3 SiH2Cl2 + SiCl4
2SiH2Cl2 SiH3Cl + SiHCl3
2SiH3Cl SiH4 + SiH2Cl2
SiH4 Si + 2H2

Получившийся в результате водород можно много где использовать, но самое главное то, что был получен «электронный» кремний, чистый-пречистый (99,9999999%). Чуть позже в расплав такого кремния опускается затравка («точка роста»), которая постепенно вытягивается из тигля. В результате образуется так называемая «буля» - монокристалл высотой со взрослого человека. Вес соответствующий - на производстве такая дуля весит порядка 100 кг. Слиток шкурят «нулёвкой»:) и режут алмазной пилой. На выходе – пластины (кодовое название «вафля») толщиной около 1 мм и диаметром 300 мм.
Слиток шкурят «нулёвкой»:) и режут алмазной пилой. На выходе – пластины (кодовое название «вафля») толщиной около 1 мм и диаметром 300 мм.

Тут надо сделать отступление. В ближайшее время планируется переход на пластины диаметром в 450 мм, что удвоит площадь пластин. Площадь пластин чрезвычайна важна в экономическом плане. Так как весь рабочий процесс ведётся с одной пластиной, а не с её частями. А значит, чем больше на пластину влазит(чем больше её площадь и чем меньше площадь микросхемы), тем дешевле и быстрее получается производство.
Например, на одной пластине вмещаются 160 чипов площадью 352 квадратных мм от видеокарты 7950. Или около 250 чипов размером в 250 кв мм intel broadwell. Ядро Cortex-A35, например, занимает 4 кв мм. Так что есть разница, получить за то же время с теми же усилиями 250 процессоров intel или 500.
Кроме других преимуществ в виде производительности и энергопотребления более совершенный техпроцесс позволяет уменьшить площадь микросхемы, значит можно разместить больше чипов на пластине и микросхема выйдет дешевле.
Надо ещё отметить тот факт, что Китай подсадил весь мир на свои пластины. Даже интел их не производит, а закупает.

2.
На кремниевую подложку\вафлю наносят слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На него наносится фоторезист - слой полимерного светочувствительного материала, меняющего свои физико-химические свойства при облучении светом. Потом производится экспонирование (освещение фотослоя в течение точно установленного промежутка времени) через фотошаблон\маску.


и удаление отработанного фоторезиста.


Весь процесс выглядит примерно так:


Операцию печати рисунка (с разными масками) нужно повторить от ~10 (для самых простых и старых микросхем) до ~40 раз чтобы сформировать все нужные слои на микросхеме (начиная от самих транзисторов, и заканчивая 2–10 слоями металлических соединений). Между операциями фотолитографии пластины подвергаются различной обработке - их греют в печке до 1100 градусов, травят в растворах и плазме.

На данный момент оптическая литография столкнулась с пределом роста на 57 нм из-за длины волны лазеров. Применяя хитрости вроде фазовых масок, многократной экспозиции, оптической коррекции близости, off-axis illumination, поляризации света - получают минимальные элементы до 22нм.
В кулуарах конференции Tae-Seung Eom, представляющий компанию Hynix Semiconductor, печально поведал: “Я не хочу разрабатывать двойное паттернирование, но мой босс заставляет. Это просто убивает меня”. “Шаблоны для двойного паттернирования – вот, что не дает мне спать по ночам” - сказал в дискуссии за круглым столом Harry Levinson, руководитель разработок литографических технологий компании AMD. “Но как раз это позволяет мне спокойно спать ночами” - парировал Bert Jan Kamperbeek из компании Mapper Lithography, о которой речь пойдёт немного позже. А сейчас применяется четырёхкратное паттернирование, что ещё более сложно и дорого. Чтобы вы понимали, двойное паттернирование требует два фотошаблона и экспонирования.
Способ литографии на жестком ультрафиолете EUV даёт теоретический максимум в 16 нм.

Сколько стоит сделать процессор?
А теперь немножечко о стоимости процесса. Тут самым интересным является изготовление масок.
Они не должны иметь ни одного повреждения, и их изготовление обходится очень дорого: от ~7"000$ за комплект для микросхем на 1000нм, ~100"000$ для микросхем на 180нм и до ~5"000"000$ для микросхем на 32нм. А ведь микросхема с первого раза скорее всего не заработает - и после нахождения ошибки маски придётся переделывать. Частично с этой проблемой можно бороться размещая тестовые микросхемы от многих заказчиков на одном наборе масок - тогда все получат по чуть–чуть тестовых микросхем за 1/3–1/10 цены полного набора масок (это называют Shuttle или MPW - multi project wafer).
Сколько же должен стоить такой процессор, если производство мелкосерийное? Если сравнивать с процессором интел, которых влезает около 250 на пластину, то 5 000 000$ делим на 250 - 20 000 баксов на чип только за маски! А если они не удались с первого раза, то 40 000! За микросхему, Карл! Чтобы выйти на уровень 20 баксов за чип, надо продать 250 тысяч чипов! А ведь мы ещё не учли стоимость разработки, техпроцесса, корпусировки. Только маски!
По слухам каждая произведённая пластина стоит от 100–400$ для старых технологий на 1000нм, ~1000$ на 180нм и до ~5000$ для самых современных (помимо нанометров тут оказывает влияние и сложность технологии - простая логика дешевле, флеш память дороже, но не в разы).
Чтобы всё это окупить, надо клепать просто дикие масштабы и иметь достаточно ёмкий рынок, куда все эти миллионы микросхем можно слить. Именно поэтому военка и космос стоят космических денег.

3. Разрезание пластины. Упаковка на подложку и корпусировка.



Без комментариев. Хотя перспективно было бы делать теплораспределительные крышки из композитов меди и графена .

И так с производством и основными проблемами слегка разобрались.

Сколько стоит фабрика
Давайте посмотрим, во сколько примерно обойдётся заиметь свой заводик по клепанию чипов.
Для постройки фабрики требуется около 3 лет и порядка $5млрд (10 млрд за завод с 450 мм вафлями)– именно эту сумму должен будет «отбить» завод в последующие 4 года (к тому времени как появятся новые технологический процесс и архитектура, а прибыль будет переть только по последнему техпроцессу, устаревшие технологии идут по себестоимости; необходимая для этого производительность – порядка 100 рабочих кремниевых пластин в час ).
Несмотря на всю сложность индустрии, только монополисты работают с видимой прибылью (TSMC, Intel, Samsung и немногие другие), остальные еле сводят концы с концами. Мало кто может себе позволить выпускать чипы. Ещё меньше тех, кто умеет делать маски.
По всему миру микроэлектроника жесточайше дотируемая отрасль - заводы постоянно выклянчивают освобождение от налогов, льготные кредиты и демпингуют (в Китае пошли ещё дальше - Semiconductor заводы строит за государственный счёт, и потом ими «управляет» - это у них называется Reverse Build-Operate-Transfer). После появления каждой новой технологии (45нм, 32нм...) - первые заводы-монополисты обладающие ей и рубят основную прибыль, а те, кто приходят на 2-5-10 лет позже старта - вынуждены работать практически по себестоимости. В результате денег тут заработать крайне сложно (без монополии и без дотаций).

Проблемы ВПК и космоса.
Как видите, заниматься производством электроники, не имея ёмкого рынка просто невыгодно.
Но что делать военным и Роскосмосу? Ведь у них очень малые заказы и особые требования.
Такие микросхемы обходятся буквально в космические суммы, когда кусочек кремния может стоить дороже всего танка.
Это приводит даже к таким анекдотичным проблемам, когда американский F–22 Raptor по прозвищу "золотой" (ибо стоит на вес золота) до недавнего времени летал на процессоре Intel 960mx, разработанном в 1984–м году !
Можете представить, как дела обстоят у нас. И не удивляйтесь, почему наша техника устарела, а Система Управления Огнём стоит дороже танка и покупается у французов.
У военных и космонавтов (в России всё перемешано) нет нужды в больших сериях, но у них есть особые требования.

Это повышенные требования к надёжности кристалла и корпуса, устойчивости к вибрациям и перегрузкам, влажности, большой температурный диапазон.

В США микросхемы разделяются на коммерческие с диапазоном от 0...70 градусов по Цельсию и индустриальные и военные с диапазоном -40...125С. Не прошедшие проверку понижаются в звании и маркируются, как коммерческие.
Военные по старой привычке очень ценят керамические корпуса. В советские времена пластик не переносил термоциклирование, был пористый, набирал влагу, плохо переносил мороз. Сейчас этих проблем нет.
Керамика дороже, меньше вибростойкость и в целом от больших ускорений проволока, которой контактные площадки на кристалле соединены с выводами микросхемы, может отвалится (в пластиковом корпусе проволока «поддерживается» по всей длине пластиком).
Однако на гражданском рынке нет керамических корпусов. Этакая защита от подделок.

Ну и отдельно рассмотрим космические требования.
Когда гамма и рентгеновское излучение (в том числе вторичное, полученное из-за столкновения электронов с корпусом аппарата) проходит через микросхему - в подзатворном диэлектрике транзисторов начинает постепенно накапливаться заряд, и соответственно начинают медленно изменятся параметры транзисторов - пороговое напряжение транзисторов и ток утечки. Обычная гражданская цифровая микросхема уже после 5000 рад может перестать нормально работать (впрочем, человек может перестать работать уже после 500-1000 рад). На низкой орбите 300-500км (там где и люди летают) годовая доза может быть 100 рад и менее, соответственно даже за 10 лет набранная доза будет переносима гражданскими микросхемами. А вот на высоких орбитах >1000km годовая доза может быть 10"000-20"000 рад, и обычные микросхемы наберут смертельную дозу за считанные месяцы. Шанс получить ошибку в конкретном транзисторе пропорционален его объему, а он быстро уменьшается с уменьшением технологии (т.к. транзисторы становятся не только меньше по площади, но и тоньше). Помимо этого, отмечено аномальное увеличение радиационной стойкости с современными толщинами подзатворных диэлектриков (3нм и менее). В целом, на современных стойких тех.процессах (65нм и менее) рутинно получаются микросхемы выдерживающие дозу облучения в 1млн рад , что превышает все разумные требования по стойкости.

Кроме того существуют Тяжёлые Заряженные Частицы.
ТЗЧ имеют такую высокую энергию(никакая свинцовая защита не поможет от этого снаряда), что «пробивают» микросхему насквозь (вместе с корпусом спутника), и оставляют за собой «шлейф» заряда. В лучшем случае это может привести к программной ошибке (0 стать 1 или наоборот - single-event upset, SEU), в худшем - привести к тиристорному защелкиванию (single-event latchup, SEL). У защелкнутого чипа питание закорачивается с землей, ток может идти очень большой, и привести к сгоранию микросхемы. Если питание успеть отключить и подключить до сгорания - то все будет работать как обычно. Возможно именно это было с Фобос-Грунтом - по официальной версии не-радиационно-стойкие импортные микросхемы памяти дали сбой уже на втором витке, а это возможно только из-за ТЗЧ (по суммарной набранной дозе излучения на низкой орбите гражданский чип мог бы еще долго работать).
Методы борьбы:
1) Следить за потребляемым током, и быстро передергивать питание
2) Использовать микросхемы на сапфировой подложке (Silicon-on-sapphire, SOS, в более общем виде Silicon-on-insulator, SOI).Пластины кремний-на-сапфире стоят дорого, обрабатывать их сложно, и они имеют ограниченное применение в гражданском секторе - соответственно производство получается дорогим.
3) Использовать так называемый triple-well процесс - он также очень сильно снижает возможность защелкивания микросхемы за счет дополнительной изоляции транзисторов pn-переходом, но не требует каких-то особенных пластин или оборудования и соответственно само производство намного дешевле кремния на сапфире.
4) Для исключения программных ошибок блоки могут дублироваться по три блока и ответ принимается таким, каким выдали два блока из трёх.

Как мы видим, никакого особого космоса тут нет и микросхемы производятся обычным техпроцессом с небольшими особенностями.

Подведём итоги:
1. Фотолитография достигла своего технологического потолка и дальнейшее повышение техпроцесса связано с ухищрениями и технологическими трудностями.
2. Производство мелкой серии стоит космических денег. А значит нужен крайне ёмкий рынок, который не может обеспечить РФ.
3. Прибыль идёт в основном только первые пару лет, пока кто-то не введёт новые технологические нормы. Дальше идёт работа по себестоимости. Область крайне дотационная, ибо маржу имеют всё-таки не с чипа, а конечного продукта, например бытовой техники. Так что от мечтаний сказочно разбогатеть, продавая русские микросхемы, придётся отказаться.

Как видим, производство микропроцессоров не может развиваться в России по причине мелкого рынка, а посему приходится закупать, что дают, в Китае, который клепает миллиарды чипов на многочисленных фабриках.
Военные вынуждены покупать свои игрушки за границей по конским ценникам, с дипломатическими проблемами и без всяких гарантий. Именно поэтому мы видим иностранные СУО сомнительного качества на наших танках, которые стоят дороже самих танков. Кроме того у наших "партнёров" есть замечательная возможность скинуть нам брак и неликвид, совершенно негодный для военных действий. Как известно, надежность - уже лет 10 как является результатом компромисса со скоростью и тепловыделением. И пути повышения и снижения надежности очень хорошо изучены: достаточно например не добавлять 1% меди в алюминиевые соединения, или отжигать микросхему не в дейтерии, а в водороде - и срок службы сократиться в 10 раз. Обнаружит ли это тестирование - еще вопрос.

То есть, электронная литография снимает технологический барьер по тонким техпроцессам .
Кроме того, электронным пучком можно управлять. Как на 3Д-принтере, только отклоняют его не механическим способом. И он, как зд-принтер или луч развёртки на экране, способен сформировать любую структуру. А это значит, что маска больше не нужна .
Единичные микросхемы для экспериментов учёных уже давно делаются таким образом.

Однако, в промышленности этот метод не используют. Почему?
Вечная проблема всех 3D-принтеров. Скорость работы.
Насколько медленно?
Для типичных хороших электрон-резистов - экспозиция получается порядка 30 микрокулон на квадратный сантиметр. Это значит, что один луч с током 10nA (10 нанокулон в секунду) засветит 300мм пластину площадью 706 см2 за 706*30/(10*0.001) = 24 дня
Грубо говоря, 10 процессоров в сутки. Ни о чём. Ваще.

Но выход есть!
Выход нашла нидерландская фирма Mapper Litography . Она предлагает распараллелить электронный пучок на множество пучков, каждый из которых будет открываться\закрываться и отклоняться в пределах 2 микрометров.
У Mapper - один мощный источник электронов(энергия 5kV, то есть рассеяние будет ещё ниже, чем на ранее приведённом рисунке), коллиматор (электростатическая линза, фокусирующих их так, чтобы получался широкий параллельный пучок электронов). Затем этот широкий пучок попадает на матрицу бланкеров (на фото справа) - фактически пластина с дырками, у одной из стенок которых - отклоняющий электрод. Когда на электрод подают напряжение - электроны отклоняются и не попадают дальше никуда. Если тока нет - так параллельным пучком и летят дальше.


Слева - Mapper, справа - обычный электронный микроскоп.
Для каждого луча\дырки идут индивидуальные дефлекторы, которые могут отклонять каждый луч примерно на 2 микрометра вдоль одной оси (перпендикулярно движению пластины). И наконец - для каждого луча своя электростатическая линза для фокусировки.
Управляют отклоняющими электродами с помощью лазера, видимо чтобы проводники не вносили искажений в «не свои» каналы.

В результате такую систему намного проще масштабировать - все эти микропластинки с «дырками» изготавливаются по уже отработанным MEMS техпроцессам на серийных заводах, и при необходимости их можно масштабировать и дальше. Электронная оптика максимально упрощена (=удешевлена) - за счет того, что отклонять каждый луч нужно на совсем небольшое расстояние (2 микрона), да еще и вдоль одной оси.
В начале 2012 года в рамках программы IMAGINE компания MAPPER достигла размерности элементов 22 нм, что соответствует следующим технологическим стандартам в микроэлектронике - 14 нм и 10 нм. Вполне современно, как по мне.
Модель Matrix 1.1, имеет 1300 лучей и обрабатывает одну вафлю за час.
Модель Matrix 10.1, имеет 13 260 лучей и обрабатывает 10 вафель в час.
Для достижения промышленной производительности предлагается объединять десять установок в кластер.
А это уже серьёзно. По взрослому.

Цена вопроса:
Производитель ориентируются на стоимость, сравнимую с EUV сканерами из расчета на 1 пластину в час (~500тыс$/wph). Т.к. максимальная производительность у Mapper на одной установке получается 10 пластин в час, для получения тех же ~100 пластин в час - систему предлагается ставить в нескольких экземплярах.
То есть, одна установка на 10 пластин в час стоит примерно 5 млн долларов, а кластер - всего 50 млн долларов. Вполне доступно, как по мне.
Впрочем, тут утверждается, что прогнозируемая стоимость установок E-beam (€50–60 млн) . Надеюсь, это за кластер. Впрочем, и пол-миллиарда не астрономическая сумма в масштабах страны за свою электронику.
Когда же система пойдет в серийное производство - можно ожидать дальнейшего снижения стоимости, т.к. тут нет самых больных мест оптической фотолитографии - источника света (и EUV и ArF лазеры стоят больших денег), сложного и чудовищно дорогого объектива и фотошаблонов, которые нужно изготавливать для каждого нового типа изготовляемых микросхем. А электронная микрооптика - изготовляется серийно хоть в миллионе экземпляров без проблем.

А группа китайских учёных из Канады предложила способ использования крайне дешёвого полистирола в качестве фоторезиста в электронно-лучевой литографии, позволяя создавать 3D объекты до 1.5 микрон высотой при необычайно малой толщине (ниже сотни нанометров).
При этом повышается чувствительность, а вместе с ней и производительность всего метода в целом, так как требуется меньше времени на создание одного «пикселя» и увеличивается производительность. Суть предложенного метода заключается в том, что полистирол наносится на подложку за счёт термического испарения, а затем после воздействия электронного пучка экспонированную область можно легко растворить смесью ксилолов.


К тому же, при желании можно одновременно «рисовать» на изогнутых поверхностях и даже создавать волноводы на таких поверхностях.

Наши возможности.
Инвесторами являются TSMC (Тайвань), STMicroelectronics (Франция) и...Роснано .
В России в 2014 году приступил к работе завод МЭМС(Микроэлектромеханические системы), построенный специально для этих целей и выпускающий электроннооптическую часть данного литографа. Кроме того, такой завод может производить кучу важных датчиков, например, акселерометров, гироскопов, магнитных, барометрических и даже DLP-чипов для проекторов.

То есть насадка на электронный микроскоп, превращающий его в литограф, у нас есть. Но я не слышал о российских электронных микроскопах. Зато слышал об украинских . А это значит, что теоретически мы могли бы производить данные литографы для себя сами, даже в условиях автаркии.

Возможности и перспективы.
Применение данной технологии означает только одно: отныне имеет важность и стоимость только площадь чипа.
Что это значит?
Это значит, что каждый производитель сможет разработать свой чип с минимальным энергопотреблением, в котором не будет ничего лишнего. Ему больше не нужны универсальные контроллеры. Ему не важен объём заказа. Хоть одна микросхема. Стоимость имеет только площадь чипа и исследовательские работы.

Я уже вижу этакий электронный магазин IP-ядер. Где ты выбираешь себе части, которые будут в микросхеме. Вот ядро arm или mips процессора, вот видеоядро, вот вайфай, вот usb 3.0. Ты не рассматриваешь, какой чип из существующих тебе подходит. Ты создаёшь чип под себя, наполняя его стандартными элементами.

Для инженеров это значит, что в любой момент чип можно исправить или улучшить. И не надо тратить сотни тысяч на новую маску. А это значит, что развитие техники пойдёт быстрее. Модными станут опенсорс-ядра, они начнут стремительно развиваться. Проверить новую идею или архитектуру в железе будет стоить буквально копейки. При этом все микросхемы будут изготавливаться по самому совершенному техпроцессу.

Для военных и космоса это означает, что всю электронику можно и нужно будет переделать под свои задачи, учитывая особенности применения в архитектуре. Вся электроника танка или самолёта может быть интегрирована в одну специализированную микросхему, где данными радара будет заниматься большое множество примитивных, заточенных под задачу, параллельных процессоров, а общее "руководство" будет на сложных производительных ядрах общего применения. И всё это будет интегрировано в один чип по цене обычного гражданского процессора. СУО, которая стоит пол-танка станет стоить копейки. ВПК кардинально преобразуется, станет более интеллектуальным, производительным, гибким.

Что приятно, так это возможность постепенно наращивать производство, поставив в кластер сначала 2 машины, потом ещё одну-две-три, сколько угодно. Это очень удобно для нашего маленького рынка и плановой экономики. При этом производство будет сразу по самым современным нормам.

Итого, мы имеем чрезвычайно гибкое производство по последним технологическим нормам(с запасом), которое легко масштабируется и совсем не зависит от величины серии микросхем. Идеально для автаркии!

Мальчики и девочки, это и есть новый техноуклад! Когда производство индивидуальных вещей ничуть не отличается от массовой штамповки. Это индустрия 4.0, детка! Эта та самая основа технологического могущества страны, с которой и надо бы начинать строительство сверхдержавы.
И лучше потратить полмиллиарда или даже 10 млрд на это, чем 2,5 в год на ролс-ройсы и или 6 млрд в месяц на облигации госдолга США .

Где размещать производство?

К сожалению, перенос структуры на подложку является только одной частью техпроцесса. Основной же стоимостью фабрики являются именно "чистые помещения". Кроме чистых помещений ещё требуются установки по осаждению металлов и тд и тп.
Так что нельзя поставить по одной установке в каждом городе и сделать распределённую промышленность, как я бы хотел. Ибо концентрированная промышленность уязвима для ударов противника, диверсий и саботажа.
Однако, это оборудование может быть установлено с минимальными затратами на предприятиях с устаревшим оборудованием. И если Микрон выходит на 65 нм и пока в модернизации не сильно нуждается, то вот эти производства можно модернизировать смело, Родина много не потеряет.

Ангстрем-Т
Хрен поймёшь, что с ним. Вроде ещё не окончен. Обещают 90нм. Так как он в процессе, самое время лепить туда электронную литографию. и делать его основным центром производства.

НИИСИ РАН
Или как его еще называют - «Курчатник». Нормы 350 нм. Объём производства - считанные пластины в день, работает на оборонку. Думаю, что одного такого литографа на 10 пластин в час для армии достаточно.
Но завод должен контроллироваться полностью военными специалистами, которые бы следили за техпроцессом, содержанием меди, дейтерием и прочими технологическими требованиями за качеством микросхем.

Ангстрем («старый»)
Производство с нормами 600нм на пластинах диаметром 150мм (8тыс пластин в месяц) и 100мм, 1200нм кремний-на-сапфире/карбид кремния (4тыс. пластин в месяц).

Интеграл.
Долгое время Белорусский Интеграл обладал технологией 800нм, но несколько лет назад наконец смогли запустить 350нм производство на пластинах 200мм, с объемом производства 1000 пластин в месяц. Также есть своё производство «чистых» пластин диаметром 200мм для 350нм линейки.

Технология изготовления микросхем

Все элементы ИС и их соединения выполнены в едином технологическом цикле на общей подложке.

Технологические процессы:

а) наращивание полупроводникового материала на кремниевой подложке;

б) термическое окисление кремния для получения слоя окисла SiO 2 , защищающего поверхность кристалла от внешней среды;

в) фотолитография, обеспечивающая требуемые конфигурации пленок(SiO 2 , металл и т.п.) на поверхности подложки;

г) локальная диффузия – перенос примесных атомов в ограниченные области полупроводника (в настоящее время – ионная имплантация легирующего вещества);

д) напыление тонких (до 1 мкм) пленок;

е) нанесение толстых (более 1 мкм) пленок путем использования специальных паст с их последующим вжиганием.

ИС изготавливаются методами интегральной технологии , имеющей следующие отличительные особенности :

1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.

2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.

3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.

4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.

5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

Последовательность основных этапов построения полупроводниковой ИС :

1. Выращивание кристалла кремния.

2. Разрезка на пластины (200…300мкм, Ø 40 – 150мм).

3. Очистка поверхности пластин.

4. Получение элементов и их соединений на пластине.

5. Разрезка пластин на отдельные части (кристаллы).

6. Закрепление в корпусе.

7. Подсоединение выводов с контактными площадками.

8. Герметизация корпуса.

Пр. Фотолитография :

1. Очистка пластин.

2. Нанесение фоторезистора.

4. Совмещение с фотошаблоном и экспонирование.

5. Травление SiO 2 .

6. Задубливание (сушка).

7. Проявление.

8. Удаление фоторезистора.

Пр. Толстопленочная технология :

1. Очистка подложек.

2. Трафаретная печать.

1. Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления.

Тактико-технические, конструктивно-технологические, эксплуатационные и экономические характеристики ЭВМ и систем определяют примененные в них микросхемы , выполняющие функции преобразования, хранения, обработки, передачи и приема информации.

Микросхемой (интегральной микросхемой - ИМС, интегральной схемой - ИС) называют функционально законченный электронный узел (модуль), элементы и соединения в котором конструктивно неразделимы и изготовлены одновременно в едином технологическом процессе в общем кристалле-основании.

Теория, методы расчета и изготовления микросхем составляют основу микроэлектроники - современной наукоемкой отрасли техники.

По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы делятся на полупроводниковые и гибридно-пленочные . Полупроводниковые микросхемы имеют в своей основе монокристалл полупроводникового материала (обычно кремния), в поверхностном слое которого методами литографии и избирательного легирования создаются транзисторы, диоды, резисторы и (иногда) конденсаторы, а соединения между ними формируются по поверхности кристалла с помощью тонкоплёночной технологии . Полупроводниковые микросхемы могут быть однокристальными (монолитными) и многокристальными (микросборками) . Однокристальная микросхема может иметь индивидуальный герметизированный корпус с внешними выводами для монтажа на коммутационной (печатной) плате, или быть бескорпусной и входить в состав микросборки.

Многокристальная микросхема (микросборка) представляет собой совокупность бескорпусных микросхем, смонтированных на общей коммутационной плате . В качестве компонентов в микросборке могут присутствовать бескорпусные согласующие резисторы и развязывающие конденсаторы. Вследствие высокой насыщенности связей коммутационная плата выполняется многоуровневой и, таким образом, является миниатюрным аналогом многослойной печатной платы. При изготовлении коммутационной платы может быть использована как тонкоплёночная, так и толстоплёночная технологии.

Гибридно-плёночные микросхемы включают в себя плёночные пассивные элементы (резисторы и конденсаторы), коммутационные проводники, нанесённые непосредственно на подложку из изоляционного материала, и бескорпусные полупроводниковые кристаллы (транзисторы, диоды, диодные матрицы, несложные микросхемы), монтируемые на той же подложке. Пассивные элементы и проводники могут быть выполнены по тонкоплёночной или толстоплёночной технологии.

В качестве активных элементов в полупроводниковых микросхемах используются униполярные (полевые) транзисторы со структурой “металл – диэлектрик (оксид) – полупроводник” (МДП- или МОП-транзисторы ) и биполярные транзисторы. В соответствии с этим все полупроводниковые микросхемы делятся на три основные вида: биполярные, униполярные (МДП или МОП) и биполярно-полевые.

Число элементов в интегральной микросхеме характеризует ее степень интеграции . По этому параметру все микросхемы условно делят на малые (МИС – до 10 2 элементов на кристалл), средние (СИС – до 10 3), большие (БИС – до 10 4), сверхбольшие (СБИС – до 10 6), ультрабольшие (УБИС – до 10 9) и гигабольшие (ГБИС – более 10 9 элементов на кристалл).

Наиболее высокой степенью интеграции обладают цифровые интегральные схемы с регулярной структурой: схемы динамической и статической памяти, постоянные и перепрограммируемые ЗУ. Это связано с тем, что в таких схемах доля участков поверхности ИС, приходящаяся на межсоединения, существенно меньше, чем в схемах с нерегулярной структурой.

Укрупненные схемы технологических процессов изготовления полупроводниковых (монолитных) и гибридно-пленочных ИС приведены соответственно на рис. 1 и 2. В последующих разделах приведено описание характерных особенностей выполнения отдельных технологических операций, в основном определяющих основные параметры интегральных микросхем.

Рис. 1. Укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых (монолитных) ИС.


Рис. 2. Укрупненная схема технологического процесса изготовления гибридно-пленочных ИС.


Владельцы патента RU 2244364:

Использование: в микроэлектронике, при производстве микросхем. Сущность изобретения: способ изготовления k штук микросхем заключается в том, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами. Затем наносят герметизирующий компаунд, который, обволакивая элементы, растекается по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нем за счет сил поверхностного натяжения. Сформированную таким образом единую заготовку разделяют на части, получая k штук микросхем. Техническим результатом изобретения является создание группового способа изготовления микросхем без использования формообразующей индивидуальный корпус микросхемы оснастки. 2 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем.

В качестве прототипа выбран способ изготовления микросхем, заключающийся в том, что n штук элементов устанавливают на кристаллодержателях выводов, объединенных внешней рамкой. Кристаллодержатели выводов с элементами размещают в оснастке, имеющей k формообразующих индивидуальный корпус микросхемы полостей, которые затем заполняют герметизирующим компаундом. После этого вывода отделяют от внешней рамки, получая k штук микросхем .

Целью изобретения является создание группового способа изготовления микросхем без использования формообразующей оснастки.

Поставленная цель достигается тем, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами. Под установкой элементов подразумевается их механическое закрепление на общем диэлектрическом основании и электрическое соединение с внешними выводами и между собой в соответствии с функциональным назначением микросхемы. В качестве элементов могут служить полупроводниковые кристаллы, пленочные и/или чип - электронные компоненты. Описываемый способ позволяет изготавливать одновременно, в одной группе, микросхемы с разным количеством элементов и/или различного функционального назначения. В общем случае количество элементов n≤k. Затем методом, например, окунания наносят герметизирующий компаунд так, чтобы он, обволакивая установленные элементы, растекся по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нем за счет сил поверхностного натяжения. Нанесенный подобными методами герметизирующий компаунд покрывает всю поверхность общего диэлектрического основания с внешними выводами сплошным слоем. Сформированную таким образом единую заготовку разделяют, например, резкой абразивом с помощью проволоки на части, получая k штук микросхем.

На фигуре 1 представлена последовательность технологических операций изготовления микросхем, n штук элементов 1 устанавливают на общее диэлектрическое основание 2 с внешними выводами 3. Герметизирующий компаунд 4, обволакивая установленные элементы 1, наносят на общее диэлектрическое основание 2. Сформированную таким образом единую заготовку 5, разделяют на части 6, получая k штук микросхем 7. За счет сил поверхностного натяжения верхняя часть индивидуального корпуса микросхем может быть сформирована плоской или куполообразной в зависимости от ширины общего диэлектрического основания с внешними выводами, количества нанесенного герметизирующего компаунда и его вязкости (фигура 2).

Источники информации

1. Патент США № 5317189, кл. H 01 L 23/48, 31.05.94.

Способ изготовления k штук микросхем, отличающийся тем, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами, на поверхность которого затем наносят герметизирующий компаунд так, чтобы он, обволакивая установленные элементы, растёкся по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нём за счёт сил поверхностного натяжения, сформированную таким образом единую заготовку разделяют на части.

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин.

Изобретение относится к электроадгезионным захватам и предназначено для фиксации пластин и подложек из электропроводящих и диэлектрических материалов при обработке, ориентированном разделении на отдельные кристаллы, подготовке к операциям сборки и монтажа.

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и предназначено для сборки мозаичных фотоприемных модулей. В способе формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей наносят защитное покрытие на планарную сторону приборной пластины, после чего, используя лазер, производят скрайбирование и осуществляют раскалывание приборной пластины. Защитное покрытие наносят толщиной, обеспечивающей поглощение лазерного излучения с плотностью энергии меньшей порога плавления в материале защитного покрытия и препятствование его воздействия на полупроводниковый материал. Скрайбирование, формирующее грань, осуществляют с использованием многопроходного режима. В каждом проходе приборной пластины скорость ее движения выбирают из условия отсутствия на поверхности больших зон расплава материала за счет перекрытия световых пятен от импульсного излучения, а также отсутствия уменьшения ширины канавки за счет осаждения расплава. При скрайбировании формируют канавку симметричной V-образной формы, направляя излучение по нормали к поверхности приборной пластины и получая канавку со стенками, образующими с поверхностью приборной пластины тупой угол α, или асимметричной V-образной формы, путем отклонения оптической оси лазерной системы, генерирующей требуемое излучение для скрайбирования, от нормали к поверхности приборной пластины в поперечном направлении формируемой канавки, получая канавку со стенкой со стороны чипа, образующей с поверхностью приборной пластины угол менее величины α и не более 180°-α. В результате достигается повышение эффективности преобразования изображений в мозаичном фотоприемном модуле и расширение области его применения. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 пр.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве электронных приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора в полупроводниковой пластине прошивают переходные сквозные отверстия, поверхности отверстий, образовавшиеся сколы, лицевую и обратную поверхности полупроводниковой пластины селективно покрывают изоляционным слоем, поверх изоляционного слоя наносят металлические проводники, необходимые для проведения электротермотренировки и полного контроля всех кристаллов, после электротермотренировки и полного контроля пластину разрезают на кристаллы, годные из которых используют для корпусирования. Изобретение обеспечивает групповую электротермотренировку и полный контроль кристаллов в составе полупроводниковой пластины, что значительно удешевляет производство полупроводниковых приборов. 8 з.п. ф-лы, 5ил.

Группа изобретений касается структурного блока, имеющего в качестве линии инициирования разлома лазерный трек, который состоит из углублений, полученных от лазерного луча, для подготовки последующего разделения этого структурного блока на отдельные конструктивные элементы. Тем самым обеспечивается то, что при разделении на отдельные части разлом всегда происходит вдоль этого лазерного трека, предотвращаются разломы, отклоняющиеся от лазерного трека, и после разламывания формируются ровные и не имеющие осыпаний края излома. Причем расстояние между двумя расположенными рядом углублениями от лазера меньше или равно диаметру этих углублений от лазера, соответственно измеренному на поверхности структурного блока. При этом лазерный трек скомбинирован с выемкой в отдельном конструктивном элементе. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способам изготовления структур высокочувствительных многоэлементных твердотельных преобразователей изображения - многоэлементных фотоприемников. Технический результат заключается в разработке надежного процесса вскрытия контактных окон при котором минимизируется вероятность замыкания металлических электродов контактных площадок с кремниевой подложкой и снижаются требования к допустимому значению поверхностного сопротивления подзатворного диэлектрика, благодаря чему обеспечивается существенное повышение выхода годных фотоприемников. Способ изготовления высокочувствительного многоэлементного твердотельного преобразователя изображения включает этап изготовления приборной пластины, этап соединения приборной пластины с пластиной-носителем, этап обработки обратной стороны приборной пластины, этап вскрытия контактных окон, этап разделения на чипы и формирования внешних выводов. На этапе вскрытия контактных окон сначала вытравливают окна в слое кремния приборной пластины, расположенные над контактными площадками, большие по размеру, чем размер контактных площадок, при этом используют преимущественно щелочные травители, а затем вскрывают контактные окна в слое диэлектрика, расположенного над контактной площадкой преимущественно методом реактивного ионного травления, используя в качестве травителей фторзамещенные углеводороды. 5 ил.

Использование: для создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания сквозных микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния с помощью лазерных импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле кремния лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и многоступенчатом перемещении этого пятна в направлении к входной поверхности кристалла, при этом для получения микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния используют инфракрасный фемтосекундный хром-форстерит лазер, а многоступенчатое перемещение фокального пятна в направлении к входной поверхности кристалла проводят с длиной волны излучения 1240 нм, при которой длина пробега фотона в структуре кремния равна 1 см, а энергия кванта меньше ширины запрещенной зоны. Технический результат: обеспечение возможности упрощения способа создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния для создания чипов, имеющих возможность охлаждения внутренних слов структуры.

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем